高純度ガス系バルブの商品一覧 (2ページ)
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KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-WC-EP>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
108,288円〜(税抜)
119,116円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-VFC-E>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
118,498円〜(税抜)
130,347円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-VC-EP>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
108,288円〜(税抜)
119,116円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-WC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
97,863円〜(税抜)
107,649円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-SC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
102,543円〜(税抜)
112,797円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-VFC-S>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
108,288円〜(税抜)
119,116円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 自動 <KDCS-VC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
97,863円〜(税抜)
107,649円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動90度 <KDQS-WC-EP>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
109,353円〜(税抜)
120,288円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動90度 <KDQS-VFC-E>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
119,778円〜(税抜)
131,755円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動90度 <KDQS-VC-EP>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
109,353円〜(税抜)
120,288円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動90度 <KDQS-WC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
97,650円〜(税抜)
107,415円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動90度 <KDQS-SC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
102,332円〜(税抜)
112,565円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動90度 <KDQS-VC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
97,650円〜(税抜)
107,415円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-WC-EP>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
95,097円〜(税抜)
104,606円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-VFC-E>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
105,734円〜(税抜)
116,307円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-VC-EP>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
95,097円〜(税抜)
104,606円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-WC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
82,545円〜(税抜)
90,799円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-SC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
87,227円〜(税抜)
95,949円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-VFC-S>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
92,758円〜(税抜)
102,033円〜(税込)


KDダイヤフラムバルブ ストレートタイプ 手動 <KDMS-VC-ST>
キッツSCT
【「KD」シリーズは、コンパクトデザインのダイレクトダイヤフラムバルブとして、高いCv値を実現し、半導体用高純度ガスに対応できる品質を備え、高耐久・高耐蝕性能を両立させた信頼性の高いバルブです。】
【特長】●ボディ縦穴寸法を最小限にし、内容積を1.2cm3(1/4”CVCオスOpen時)まで小さくする事により優れたガス置換特性を実現しています。
●独自の接ガス部シール構造により高いシール性能と高耐久化、脱ガス性能、耐蝕性能を極限まで追求しました。
●厳選されたダイヤフラム素材による高耐蝕性能と、独自の成型方法による加工により極限まで個体差をなくし、高い耐久性能を実現しました。
●最高レベルの製造環境と内面研磨処理により、半導体用高純度ガスに対応しパーティクル性能を極限まで追及しました。
82,545円〜(税抜)
90,799円〜(税込)
